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DMT10H010LPS-13  与  BSC079N10NS G  区别

型号 DMT10H010LPS-13 BSC079N10NS G
唯样编号 A36-DMT10H010LPS-13 A-BSC079N10NS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.9mΩ
上升时间 - 40ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),139W(Tc) 156W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3000 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),98A(Tc) 13.4A
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS2
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 5.9mm
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 24ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC079N10NSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC079N10NS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC079N10NS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC079N10NSGATMA1_100V 13.4A 7.9mΩ 20V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3GATMA1_100V 42A 13.9mΩ 20V 60W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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